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這意味著器件暗電流是需要考慮的重要品質因數。低暗電流可以保證響應范圍，減少噪聲波動。一般來說，構建結型器件可以有效抑制暗電流。但對于厚鈣鈦礦X射線探測器，結器件的性能普遍較差，尤其是p-n結。底層機制仍不清楚。
由中國華中科技大學武漢光電國家實驗室牛光大教授領導的研究團隊總結并建立了厚鈣鈦礦X射線探測器的暗電流模型。
他們定量評估了與像素電路集成的X射線成像器的暗電流要求，該要求低至每平方厘米納安。此外，半導體器件分析和仿真表明，厚鈣鈦礦X射線探測器的主要電流分量包括熱電子發射電流和產生復合電流兩種。
他們在肖特基和pn結器件結構上設計了多組實驗，以表明厚探測器中通常觀察到的p-n結失效是由異能帶失配和界面缺陷引起的高生成復合電流引起的。研究人員認為，這項工作可以深入了解應用于X射線成像儀的高靈敏度和低暗電流鈣鈦礦探測器的設計。
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